Компания Intel продемонстрировала чип памяти, основанный на технологии, работа над которой в целом ведется уже на протяжении 30 лет. Первые образцы чипа под кодовым названием Alverston, разработка которого велась совместно с ST Microelectronics, станут доступны уже в I половине 2007 года, сообщает компания. В основе чипов Alverston лежит похожий материал, что применяется для создания дисков CD-ROM. Микросхема разделена на множество крошечных битов. При нагреве, материал внутри бита кристаллизуется. В процессе считывании данных луч света попадает на бит, отражается, и получается "единица". После охлаждения бита, закристаллизованный материал становится аморфным и превращается в "ноль". Изменение ячейки подвергается воздействием электрического разряда или мгновенным нагреванием до 600 градусов по Цельсию. Данная технология, похоже, заменит существующую флэш-память, которая используется в широком перечне потребительской электроники, начиная цифровыми камерами и заканчивая компьютерами. В качестве замены флэш-памяти рассматривались нанокристаллы и магнитная память (исследования вели компании Philips, Samsung и IBM), но наиболее приемлемой технологией разработчики все же посчитали память, работающую на принципе изменения фазового состояния вещества. Впервые о технологии стало известно еще более 30 лет назад, в 1970 году, когда одним из основателей Intel, Гордоном Муром (Gordon Moore) в журнале Electronics была опубликована статья о "фазовой памяти" под названием Ovonics. К преимуществам памяти, в отличие от традиционных чипов, относятся меньшее энергопотребление и возможность размещать на кристалле большее количество битов информации, которые в свою очередь более прочно сохраняют состояние, которое не так просто изменить внешним воздействием. В 2001 году компанией Intel технология 30-летней давности (Ovonics) уже была предложена в качестве альтернативы флэш-памяти, а по прогнозам аналитиков массовое производство таких чипов должно было начаться еще в 2003 году. Источник: cnews.ru
